━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
◆ひびきの半導体アカデミー講座◆ご案内
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
2023年度ひびきの半導体アカデミーで計画している「半導体基礎講座（座学４講座）」（※１）の中で【2023年度下期「半導体ものづくりパワーデバイス基礎講座（座学）」】（※２）の募集を開始しましたのでご案内させていただきます。
※１ 「半導体基礎講座（座学４講座）」の全体チラシ
※２【2023年度下期「半導体ものづくりパワーデバイス基礎講座（座学）」】のチラシ
┃●開催講座詳細●
┗━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
◇開催講座◇
「半導体ものづくりパワーデバイス基礎講座【座学】」
◇講 師◇
㈱産業タイムズ社 特別顧問
加藤 一 氏
国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
岩室 憲幸 氏
◇開催日時◇
2024年1月12日（金）13：00～17：30
◇開催形式◇
オンライン（Zoomウェビナー）
◇対 象 者◇
一般の方（高卒以上）
◇募集定員◇
100名
◇受 講 料◇
【一 般：22,000円】
【学生･教員：無料】
↓北九州半導体ネットワーク会員は特別価格↓
【会 員：14,000円】
【賛助会員：18,000円】
※税込価格表示となります。
◇講座概要◇
半導体の動作のしくみについて聞いたことはあるものの、実際のパワー（電源系）半導体デバイスのものづくりの流れや種類、設計などの基本的な知識を身に着けたい方向けの講座です。
◇講座内容◇
【1】パワーデバイスの基本事項（定格や特性、電力変換、信頼性など）
・パワーデバイスの種類
・パワーデバイスの主要特性
・パワーデバイスの定格
・パワーデバイスの信頼性 破壊とその原因、対策
・次世代パワーデバイス開発と課題（デバイス、周辺材料・装置）
【2】パワーエレクトロニクス技術とパワー半導体の役割
・パワーエレクトロニクス＆パワー半導体の仕事
・パワー半導体デバイスの種類と基本構造
・パワー半導体デバイスの適用分野
・シリコン MOSFET・IGBT だけが生き残った。なぜ？
・次世代パワー半導体デバイス開発の位置づけ
【3】シリコンパワー半導体デバイスの進展
・パワー半導体デバイス市場の現在と将来
・最新 MOSFET 技術
・IGBT の特性改善を支えてきた技術
・IGBT 特性改善の次の一手
・新型 IGBT として期待される RC-IGBT とはなに
・シリコン IGBT の実装技術
【4】SiCパワーデバイスの現状と課題
・半導体デバイス材料の変遷
・なぜ SiC パワー半導体デバイスが
WBG パワー半導体材料でトップランナなのか
・なぜ SiC-IGBT ではなくSiC-MOSFET を開発するのか
・SiC-MOSFET の普及拡大のために解決すべき課題
・SiC MOSFET コストダウンのための技術開発
・内蔵ダイオード信頼性向上技術
・高速スイッチング特性を実現するための実装技術
・銀または銅焼結接合技術
■半導体産業支援センターHPよりお申込みください。
■募集期間：2023年11月10日(金)～2023年12月12日(火)（定員になり次第〆切）
┃●半導体産業支援センター総合案内●
┗━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
https://www.ksrp.or.jp/fais/mic/
┃●お問い合わせ●
┗━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
公益財団法人 北九州産業学術推進機構（FAIS）
半導体産業支援センター 担当：川崎・菊地・田中
E-mail：https://www.ksrp.or.jp/fais/mic/mailto.html
Tel：093-695-3007
