第3回NEDIAアクションセミナー開催のご案内
「SiCパワーデバイスの最新動向とその応用」
NEDIA企画委員会では、会員様向けに、タイムリー、かつ役立つ業界情報を提供し、会員様の価値向上を図るべく、アクションセミナーの開催を企画しました。
第2回に引続き、パワーデバイスに関する企画を継続していく方針で、「第3回NEDIAアクションセミナー」を下記の開催案内の通り、開催することにしました。
ぜひご一読頂き、多くの会員様にご参加頂けることを心よりお待ちしております。
■添付資料：（本紙同文）第3回アクションセミナー案内(20150413).pdf
―――― 開催案内 ――――
１． 開催日時：2015年4月13日(月) 17：00～18：30
２． 開催場所：ＵＴホールディングス株式会社 セミナールーム
住所：東京都品川区東五反田1丁目11番15号 電波ビル4F
マップ http://www.ut-h.co.jp/corporate/map.html
３．セミナーテーマ：「SiCパワーデバイスの最新動向とその応用」
＜アブストラクト＞
SiCパワーデバイスはSiの限界を超える新材料デバイスとして期待されている。
2010年にはMOSFETの実用化も始まっており、市場も徐々に広がりつつある。
しかし始まったばかりのSiCデバイスは、まだ十分にその実力が発揮できているわけではなく、今後さらなる進化が期待されている。その一つとして、オン抵抗を数分の1に低減できるトレンチ型MOSFETの実用化が間もなく始まる。
トレンチMOSは性能向上だけではなく、チップ面積縮小による低価格化も期待できる。また、現状ではSiCは従来のSi MOSやSi IGBTの置き換え市場が主流であるが、その低オン抵抗、高速性はこれまでSiでは実現できなかった分野まで応用できる可能性を秘めている。
今回は、デバイスの進化だけでなくSiCならではの応用についても言及する。
４．講師：ローム株式会社 研究開発部 部長 博士(工学) 中村 孝 様
５．タイムテーブル： 16：30～受付開始
17：00～18：00 セミナー
18：00～質疑応答 （終了は18：30予定）
６．参加費：NEDIA会員 1,000円、 非会員 3,000円
ご参加の申込みは、4月7日(火)までにメールにて事務局までお願い致します。
申込みを確認後、事務局より返信いたします。
定員(約40名程)になりましたら、申込みを終了させていただきます。
＜事務局連絡先＞
E-mail：info@nedia.or.jp TEL：03-5823-4465 FAX：03-5823-4475
